基础电子电路设计与实验 (戴伏生 著)课后习题答案 国防工业出版社

liang183

第一章常用半导体器件
常用半导体器件

自测题

一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）
（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）
（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）
（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）
（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（）
（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（）
解：（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×

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