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《模拟电子技术》第一版 (吴友宇 著)课后习题答案 清华大学出版社

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发表于 2016-10-12 16:47:07 | 显示全部楼层 |阅读模式

第三部分习题与解答

习题与解答

习题
1客观检测题
一、填空题
1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。
2、当PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。当外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。
3、在N型半导体中,电子为多数载流子,空穴为少数载流子。
......'



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发表于 2017-4-5 20:25:55 | 显示全部楼层
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发表于 2017-6-28 22:19:04 | 显示全部楼层
参看参看,啦啦啦啊啦啦
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