模拟电子技术基础(吴友宇)课后答案

liang183

第三部分 习题与解答
习题1
客观检测题
一、填空题
1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与  温度  有很大关系。
2、当PN结外加正向电压时，扩散电流  大于   漂移电流，耗尽层  变窄 。当外加反向电压时，扩散电流  小于  漂移电流，耗尽层  变宽  。
3、在N型半导体中，电子为多数载流子， 空穴  为少数载流子。
二．判断题  
1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ × ）
2、在N型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P型半导体。（ √ ）
3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（× ）
4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（ × ）
5、PN结在无光照无外加电压时，结电流为零。（ √ ） 6、温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。（ × ） 7、PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（×  ）

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