模拟电子技术基础课后习题答案
第1章 常用半导体器件自测题
一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ )
(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GSR大的特点。( √ )
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GSU 大于零，则其输入电阻会明显变小。( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将A。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在C。
A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏 (4) UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C。
A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管
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