liang183 发表于 2016-10-27 18:46:49

模拟电子技术基础(第四版)课后习题答案华成英童诗白主编清华大学电子学教研组编写

第1章 常用半导体器件
自测题
一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ )
(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × )
(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GSR大的特点。( √ )
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GSU 大于零，则其输入电阻会明显变小。( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将A。       A.变窄    B.基本不变    C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在C。
A.正向导通   B.反向截止   C.反向击穿
(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B   。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏 (4) UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C。
A.结型管    B.增强型MOS 管    C.耗尽型MOS 管

**** Hidden Message *****

dtsxhch 发表于 2018-11-30 21:50:26

谢谢亲的资料

王小川 发表于 2019-4-24 15:13:45

非常棒.我很喜欢喜欢喜欢喜欢

白日梦游患者 发表于 2019-6-3 16:23:11

如果梵蒂冈梵蒂冈

羽化天 发表于 2020-3-8 19:19:55

谢谢谢谢谢谢谢谢谢谢谢谢

wslbh2 发表于 2020-3-17 22:11:22

感谢，太需要这东西了，太难了

wslbh2 发表于 2020-3-17 22:13:35

1111111111111111

15084087081 发表于 2020-3-31 09:44:05

巴巴爸爸啊啊啊吧把我的手机卡

15177308980 发表于 2020-4-10 10:18:27

模拟电子技术基础

星空牧野 发表于 2022-2-14 16:03:04

感想楼主的分享
页: [1] 2
查看完整版本: 模拟电子技术基础(第四版)课后习题答案华成英童诗白主编清华大学电子学教研组编写